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东芝联手普瑞光电研发出8英寸矽衬底LED

2019-07-17 18:49:45来源:励志吧0次阅读

  东芝与普瑞光电合作仅数月,已对外公布在8英寸矽衬底生长出高品质的GaN,所得大小为1.1mm。在电压不超过3.1V,电流为350mA的情况下该芯片功耗为614mW。

  合作中,東芝除提供自己先進的矽制造工藝和一些生產技術的研發支持外,東芝還對普瑞光電進行了股權投資,看好普瑞在固態照明領域的技術創新實力。該項投資將進一步促進雙方在固態照明行業為降低成本所做的努力

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